微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2020.03.15)
來源:考試資料網(wǎng)2.問答題MOS管的開啟電壓有那些因素決定?
參考答案:由柵下半導(dǎo)體中的載流子濃度、柵氧化層的厚度、柵氧化層的固定電荷密度、可動電荷密度、界面態(tài)密度等有關(guān)
4.問答題寫出單晶硅太陽能電池的主要工藝。
參考答案:常壓化學(xué)氣相淀積;傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)(ILD),保護覆蓋物或者表面平坦化;不是使用硅烷作為反應(yīng)源。
6.名詞解釋Die芯片裸片
7.填空題金屬-半導(dǎo)體接觸分:()三種。當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度 低于()時,只能產(chǎn)生(),當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度 高于()時 可實現(xiàn)()。
參考答案:肖特基接觸、歐姆接觸和合金接觸;1017/cm3;肖特基接觸;1020/cm3;歐姆接觸
10.問答題Si片定位邊或定位槽的作用是什么?
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