硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）