填空題

金屬-半導體接觸分：（）三種。當半導體襯底濃度 低于（）時，只能產(chǎn)生（），當半導體襯底濃度 高于（）時 可實現(xiàn)（）。

答案： 肖特基接觸、歐姆接觸和合金接觸；1017/cm3；肖特基接觸；1020/cm3；歐姆接觸
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填空題

半導體器件隔離的種類有：（）；（）和（）三種。P-N結隔離適合（）的器件。目前大多數(shù)CMOS器件采用（）隔離，絕緣介質(zhì)場區(qū)氧化層采用（）工藝生長。
答案： P-N結隔離；介質(zhì)隔離；溝槽隔離；低密度、低成本；介質(zhì)；局部氧化（LOCOS）
填空題

免可控硅效應的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產(chǎn)生。
答案： 降低；增加基區(qū)寬度（即P-NMOS管的間距和阱深）；增加基區(qū)摻雜；保護環(huán)；采用深槽隔離；采用SOI材料作襯底
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