問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】MOS管的開(kāi)啟電壓有那些因素決定？

答案： 由柵下半導(dǎo)體中的載流子濃度、柵氧化層的厚度、柵氧化層的固定電荷密度、可動(dòng)電荷密度、界面態(tài)密度等有關(guān)
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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】注入束中的中性原子是如何形成的？它有什么害處？如何避免？
答案： 原因：在離子束的傳輸過(guò)程中，由于離子與殘余氣體分子的碰撞等原因，離子俘獲電子成中性原子
害處：中性原子不帶電，...
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