微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2020.03.11)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.名詞解釋PSM移相掩膜

參考答案：相移掩膜上的電介質(zhì)層在光刻版上開(kāi)口部分以間隔的方式形成相移圖形，通過(guò)沒(méi)有相移涂敷開(kāi)口部分的光線，會(huì)與通過(guò)有相移涂敷開(kāi)口的...

2.問(wèn)答題外延有何應(yīng)用？

參考答案：①雙極型電路A：n/n+外延 B： n/p外延
②MOS電路外延膜的主要應(yīng)用是...

3.問(wèn)答題當(dāng)分辨率增加時(shí)焦深會(huì)發(fā)生什么變化？

4.填空題根據(jù)不同的擊穿機(jī)理，PN結(jié)擊穿主要分為（）和隧道擊穿這兩種電擊穿。

5.填空題肖特基接觸呈現(xiàn)（），肖特基結(jié)的高低由（）差決定；歐姆接觸呈現(xiàn)（）特性，接觸電阻可以低到10^-7歐姆·厘米。IC的互連線金屬要求與半導(dǎo)體襯底實(shí)現(xiàn)（），所以，源、漏、多晶硅等的摻雜濃度必須高于（）。

參考答案：二極管特性；金屬功函數(shù)和半導(dǎo)體表面功函數(shù)；線性；歐姆接觸；10²⁰/cm³

6.填空題所謂（），是指幅度隨時(shí)間連續(xù)變化的信號(hào)。

參考答案：模擬信號(hào)

7.問(wèn)答題簡(jiǎn)述微電子工藝的特點(diǎn)

參考答案：①高技術(shù)含量：設(shè)備先進(jìn)、技術(shù)先進(jìn)
②高精度：光刻圖形的最小線條尺寸在亞微米量級(jí)，制備的介質(zhì)薄膜厚度也在納米量級(jí)...

8.問(wèn)答題半導(dǎo)體工藝中常用的三種CVD反應(yīng)器類型

參考答案：APCVD：常壓化學(xué)氣相淀積
LPCVD: 低壓化學(xué)氣相淀積 &e...

9.問(wèn)答題什么是無(wú)源元件，舉出兩個(gè)無(wú)源元件的例子。

無(wú)源器件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。
例子：電阻，電容。

10.名詞解釋IP

參考答案：知識(shí)產(chǎn)權(quán)核，是具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路芯核的簡(jiǎn)稱。英文Intellectual Property的縮寫。為滿足TTM的要求...