光刻工藝的特點包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）