光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

摻雜后，退火的目的是（）。