微電子學章節(jié)練習(2020.04.13)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：0.6*248/0.65=228.9 R=K*入/NA 參考答案：1、接觸式曝光：分辨率較高，可在亞微米范圍內。接觸時的微粒會在晶圓上產生缺陷，光刻版的壽命也會減短。
2、接近... 參考答案：
①材料準備
②晶體生長與晶圓準備
③芯片制造
④封裝
參考答案：為了查找光刻膠中成形圖形的缺陷，鑒別并除去有缺陷的硅片，用來檢查光刻工藝的好壞，為光學光刻工藝生產人員提供用于糾正的信息... 參考答案：載流子漂移（電流）和擴散（電流）過程保持平衡（相等），形成自建場和自建勢在PN結上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一... 參考答案：920A（每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）
