半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.04)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)參考答案：根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種：接觸式，接近式，投影式。接觸式：接觸式光刻機(jī)是最簡(jiǎn)單的光刻機(jī)，曝光時(shí)，掩模壓在涂...
2.問(wèn)答題
以P2O2為例說(shuō)明SiO2的掩蔽過(guò)程。
3.問(wèn)答題什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？
參考答案：表面反射——穿過(guò)光刻膠的光會(huì)從晶圓片表面反射出來(lái)，從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。
參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的，由于反應(yīng)速率快，CVD系統(tǒng)簡(jiǎn)單，適于較厚的...
參考答案：張應(yīng)力（張的時(shí)候產(chǎn)生的應(yīng)力）與壓應(yīng)力（壓的時(shí)候產(chǎn)生的應(yīng)力）
在張應(yīng)力作用下，薄膜會(huì)相對(duì)襯底進(jìn)行...
在張應(yīng)力作用下，薄膜會(huì)相對(duì)襯底進(jìn)行...
參考答案：①交換式：兩相鄰原子由于有足夠高的能量，互相交換位置。②空位式：由于有晶格空位，相鄰原子能移動(dòng)過(guò)來(lái)。③填隙式：在空隙中的...
參考答案：熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì)，某些最常見的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長(zhǎng)中有水存在，一種可能發(fā)生...
9.問(wèn)答題MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最基本的區(qū)別是什么？
