<label id="gqwaf"></label>
<s id="gqwaf"><object id="gqwaf"></object></s>
網(wǎng)站首頁
考試題庫
在線?？?/a>
智能家居
網(wǎng)課試題
問&答
熱門試題
登錄 |
注冊
網(wǎng)站首頁
考試題庫
熱門試題
智能家居
網(wǎng)課試題
通信電子計算機技能考試
題庫首頁
每日一練
章節(jié)練習(xí)
半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.26)
來源：考試資料網(wǎng)
1.問答題
以P
2
O
2
為例說明SiO
2
的掩蔽過程。
參考答案：
以P
2
O
2
雜質(zhì)源為例來說明SiO
2
的掩蔽過程：當P
點擊查看完整答案
2.問答題
在干法刻蝕的終點檢測方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見，簡述其工作原理和優(yōu)缺點。
參考答案：
光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測等離子體中某種波長的光線強度變化來達到終點檢測的目的。光強的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...
點擊查看完整答案
3.問答題
什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。
參考答案：
濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時，才能發(fā)生濺...
點擊查看完整答案
4.問答題
分別簡述RVD和GILD的原理，它們的優(yōu)缺點及應(yīng)用方向。
參考答案：
快速氣相摻雜（RVD，RapidVapor-phaseDoping）利用快速熱處理過程（RTP）將處在摻雜劑氣氛中的硅片...
點擊查看完整答案
5.問答題
CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率？
參考答案：
CVD過程包括兩個部分：一、反應(yīng)劑在邊界層中的輸運二、反應(yīng)劑在襯底表面的化學(xué)反應(yīng)存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...
點擊查看完整答案
