解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。

例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學機理和物理機理。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。