問(wèn)答題簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。
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哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
描述電子回旋共振（ECR）。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：?jiǎn)柎痤}
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
題型：?jiǎn)柎痤}
例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
題型：?jiǎn)柎痤}
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說(shuō)明它們是n型還是p型？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}