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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.30)
問答題
熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關(guān)?淀積速率的測量采用什么辦法?
答案:
簡述其工作原理。淀積速率與蒸發(fā)材料溫度腔體形狀等因素有關(guān)。淀積速率通常用石英晶體速率指示儀測量。所用器件為一個(gè)諧振板,它...
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問答題
以P2O2為例說明SiO2的掩蔽過程。
答案:
以P
2
O
2
雜質(zhì)源為例來說明SiO
2
的掩蔽過程:當(dāng)P
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問答題
以P2O5為例,多晶硅中雜質(zhì)擴(kuò)散的方式及分布情況。
答案:
在多晶硅薄膜中進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散的擴(kuò)散方式與單晶硅中的方式是不同的,因?yàn)槎嗑Ч柚杏芯Яig界存在,所以雜質(zhì)原子主要沿著晶粒間界進(jìn)...
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問答題
分別簡述RVD和GILD的原理,它們的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用方向。
答案:
快速氣相摻雜(RVD,RapidVapor-phaseDoping)利用快速熱處理過程(RTP)將處在摻雜劑氣氛中的硅片...
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問答題
采用無定形掩膜的情況下進(jìn)行注入,若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000,掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少?用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。
答案:
無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示:
其中,Rp為投影射程,ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差,&p...
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