多項(xiàng)選擇題從電極的結(jié)構(gòu)看，濺射的方法包括（）。
A.直流濺射
B.交流濺射
C.二級(jí)濺射
D.三級(jí)濺射
E.四級(jí)濺射
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題濺射的方法非常多其中包括（）。
A.直流濺射
B.交流濺射
C.反應(yīng)濺射
D.二級(jí)濺射
E.三級(jí)濺射
2.多項(xiàng)選擇題一般來(lái)說，濺射鍍膜的過程包括（）這幾步。
A.產(chǎn)生一個(gè)離子并導(dǎo)向靶
B.被轟擊的原子向硅晶片運(yùn)動(dòng)
C.離子把靶上的原子轟出來(lái)
D.經(jīng)過加速電場(chǎng)加速
E.原子在硅晶片表面凝結(jié)
3.單項(xiàng)選擇題（）是指每個(gè)入射離子濺射出的靶原子數(shù)。
A.濺射率
B.濺射系數(shù)
C.濺射效率
D.濺射比
4.單項(xiàng)選擇題（）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來(lái)沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。
A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積
5.單項(xiàng)選擇題（）是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。
A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積
最新試題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題