多項選擇題下列哪些是進行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
A.脫水烘烤
B.旋轉(zhuǎn)涂布法涂HMDS
C.氣拍涂底法涂HDMS
D.軟烘
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1.多項選擇題根據(jù)曝光模式，光制機的種類分為（）。
A.接觸式曝光
B.接近式曝光
C.掃描式曝光
D.投影式曝光
2.多項選擇題刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
A.圖形的保真度高
B.選擇比越接近1：1越好
C.均勻性好
D.晶圓表面的潔凈
3.多項選擇題以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
A.均勻性好
B.圖形保真度高
C.選擇比低
D.潔凈度高
4.多項選擇題最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
5.單項選擇題（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
A.離子源
B.磁分析器
C.加速管
D.終端系統(tǒng)
最新試題
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）
題型：單項選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。
題型：單項選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項選擇題