單項(xiàng)選擇題（）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來(lái)沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。

A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積


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1.單項(xiàng)選擇題（）是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。

A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積

2.單項(xiàng)選擇題用高能粒子從某種物質(zhì)的表面撞擊出原子的物理過(guò)程叫（）。

A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積

3.多項(xiàng)選擇題真空鍍膜室是由（）幾部分組成。

A.鐘罩
B.蒸氣源加熱器
C.襯底加熱器
D.活動(dòng)擋板
E.底盤

4.單項(xiàng)選擇題真空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動(dòng)擋板，用來(lái)（）。

A.隔擋氣體交換
B.控制蒸發(fā)的過(guò)程
C.輔助熱量交換
D.溫度調(diào)節(jié)

5.單項(xiàng)選擇題真空鍍膜室中的鐘罩與底盤構(gòu)成（）。

A.襯底加熱器
B.抽氣系統(tǒng)
C.真空室
D.蒸氣源加熱器