單項選擇題假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
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1.單項選擇題通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）
A.發(fā)射光譜法
B.干涉測量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)
2.單項選擇題刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃
3.單項選擇題一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）
A.曝光
B.涂膠
C.去膠
D.顯影
4.多項選擇題最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
5.多項選擇題回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）
A.硼酸三甲酯
B.氮化硼
C.硼
D.磷微晶玻璃片
最新試題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項選擇題
試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點？
題型：問答題
當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題
說明功能檢測工裝的制作原理？
題型：問答題
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題型：單項選擇題
堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。
題型：單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）
題型：單項選擇題