單項選擇題（）是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關的一種薄膜淀積技術。
A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積
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1.單項選擇題用高能粒子從某種物質(zhì)的表面撞擊出原子的物理過程叫（）。
A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積
2.多項選擇題真空鍍膜室是由（）幾部分組成。
A.鐘罩
B.蒸氣源加熱器
C.襯底加熱器
D.活動擋板
E.底盤
3.單項選擇題真空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動擋板，用來（）。
A.隔擋氣體交換
B.控制蒸發(fā)的過程
C.輔助熱量交換
D.溫度調(diào)節(jié)
4.單項選擇題真空鍍膜室中的鐘罩與底盤構(gòu)成（）。
A.襯底加熱器
B.抽氣系統(tǒng)
C.真空室
D.蒸氣源加熱器
5.單項選擇題（）由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動擋板和底盤構(gòu)成。
A.真空鍍膜機
B.真空鍍膜室
C.真空鍍膜器
D.真空鍍膜儀
最新試題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
離子注入機掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）
題型：單項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術有（）
題型：多項選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項選擇題
鋁的電遷移可能導致的結(jié)果是（）
題型：多項選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項選擇題