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單項(xiàng)選擇題

（）是指每個(gè)入射離子濺射出的靶原子數(shù)。

A.濺射率
B.濺射系數(shù)
C.濺射效率
D.濺射比

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單項(xiàng)選擇題

（）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。

A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積

單項(xiàng)選擇題

（）是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。

A.蒸鍍
B.離子注入
C.濺射
D.沉積

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