單項(xiàng)選擇題堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
A.100℃～150℃
B.130℃～200℃
C.110～130℃
D.85～120℃
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1.單項(xiàng)選擇題在顯影過程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
A.顯影液可以使用丁酮
B.顯影液可以使用甲苯
C.顯影液可以使用丙酮
D.顯液可以使用甲基異丁基酮和異丙醇的1：1混合液
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
A.濕法刻蝕
B.濺射刻蝕
C.等離子體刻蝕
D.反應(yīng)離子刻蝕
3.單項(xiàng)選擇題兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
A.濕法刻蝕
B.濺射刻蝕
C.等離子體刻蝕
D.反應(yīng)離子刻蝕
4.單項(xiàng)選擇題假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
5.單項(xiàng)選擇題通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
A.發(fā)射光譜法
B.干涉測(cè)量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)
最新試題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
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假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
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金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
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題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題