微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.11.15)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題 施主濃度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡載流子濃度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，計算無光照和有光照時的電導(dǎo)率。已知

2.問答題列出按材料分類的三種主要干法刻蝕。

參考答案：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕

3.問答題簡述集成電路封裝的四個重要功能

A.保護芯片以免由環(huán)境和傳遞引起損壞
B.為芯片的信號輸入和輸出提供互連
C.芯片的物理支撐
D.散熱

4.問答題簡述CMOS雙阱工藝，畫出標準埋層雙極工藝流程示意圖。

5.填空題本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，熱穩(wěn)定性很（）。

6.問答題隔離分為哪些？怎么樣來做隔離？

7.判斷題雙極型集成電路工藝是用來制造CMOS集成電路。

8 微電子器件對加工環(huán)境的空氣潔凈度有著嚴格的要求。我國潔凈室及潔凈區(qū)空氣中懸浮粒子潔凈度標準GB50073-2001中，100級的含義是：每立方米空氣中大于等于0.1m的懸浮粒子的最大允許個數(shù)為（）

9.問答題PECVD的機理？PECVD有何優(yōu)勢？

機理：等離子體由中性原子團、游離基、分子、離子、少量高能電子組成。
優(yōu)勢：可以較低溫度下淀積薄膜，常是低溫與低壓結(jié)合

10.問答題簡述負載和微負載效應(yīng)的概念

參考答案：負載效應(yīng)：要刻蝕硅片表面的大面積區(qū)域，則會耗盡刻蝕劑濃度使刻蝕速率慢下來；如果刻蝕的面積比較小，則刻蝕會快些
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