問(wèn)答題簡(jiǎn)述CMOS雙阱工藝，畫(huà)出標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極工藝流程示意圖。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
2.問(wèn)答題在VLSI中，為什么要采用Cu互連及多層金屬化技術(shù)？
3.問(wèn)答題什么是分辨率？如何提高分辨率？
5.問(wèn)答題為什么說(shuō)光刻是IC制造中最重要的工藝？光刻的三個(gè)要素是什么？
最新試題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題