常壓的硅外延方法有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）