問(wèn)答題
施主濃度ND=1016cm-3的N-Si中，光注入非平衡載流子濃度Δn=Δp=1014cm-3，計(jì)算無(wú)光照和有光照時(shí)的電導(dǎo)率。已知
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3.問(wèn)答題
473K時(shí)硅的
求本征硅的電阻率ρi。
4.問(wèn)答題摻硼1.1×1016cm-3和磷9×1015cm-3的硅樣品，計(jì)算室溫下多子濃度和少子濃度。如果電子遷移率μn=1000cm2/v·s，空穴遷移率μp=360cm2/v·s，求電阻率。
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
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鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題