半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.05.13)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？

2.問答題說明影響氧化速率的因素。

參考答案：1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D

3.問答題集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？

參考答案：擴散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴散，液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散（1）.開管擴散...

4.問答題應(yīng)力分為壓應(yīng)力和張應(yīng)力，下圖的形狀是由于哪種應(yīng)力產(chǎn)生的？請在圖上標出應(yīng)力的方向。如果要讓上面的結(jié)構(gòu)材料變得平整，要怎么做？

參考答案：張應(yīng)力（張的時候產(chǎn)生的應(yīng)力）與壓應(yīng)力（壓的時候產(chǎn)生的應(yīng)力）
在張應(yīng)力作用下，薄膜會相對襯底進行...

5.填空題全定制、半定制版圖設(shè)計中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

參考答案：符號圖；抽象圖；線路圖；版圖

6.填空題在擴散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個過程中這層雜質(zhì)作為擴散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補充，這種擴散方式稱為：（）

參考答案：恒定表面源擴散

7.問答題 下圖為一個典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標識部分的名稱，簡述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。

參考答案：1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理...

8.問答題影響外延薄膜的生長速度的因素有哪些？

參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長速率對溫度的變化不敏感，生長速率由氣相質(zhì)量輸運控制，并且對反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...

9.判斷題目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）

10.填空題芯片焊接質(zhì)量通常進行鏡檢和（）兩項試驗。