半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.05.13)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO2中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D 參考答案：擴散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴散，液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散（1）.開管擴散... 參考答案：張應力（張的時候產(chǎn)生的應力）與壓應力（壓的時候產(chǎn)生的應力）
在張應力作用下，薄膜會相對襯底進行... 參考答案：1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理... 參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長速率對溫度的變化不敏感，生長速率由氣相質(zhì)量輸運控制，并且對反應室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...
