問答題
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數據見下表,玻爾茲曼常數k=1.38×10-23。(1)在1200℃下,采用H2O氧化,使厚度增加0.5um需要多少時間?。(2)在1200℃下,采用干氧氧化,增加同樣的厚度需要多少時間?
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