問答題

【簡答題】
一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆蓋。所需數據見下表，玻爾茲曼常數k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？

答案：

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【論述題】簡述在熱氧化過程中雜質再分布的四種可能情況。

答案：如果假設硅中的雜質分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質，則再分布有四種可能。①分凝系數m＜l，且在SiO

【論述題】說明影響氧化速率的因素。

答案： 1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數B=2D