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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見(jiàn)下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時(shí)間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時(shí)間？
答案：
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問(wèn)答題
【論述題】簡(jiǎn)述在熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
答案：
如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO
