問(wèn)答題
下圖為一個(gè)典型的離子注入系統(tǒng)。(1)給出1~6數(shù)字標(biāo)識(shí)部分的名稱,簡(jiǎn)述其作用。(2)闡述部件2的工作原理。
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1.問(wèn)答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種?簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
4.問(wèn)答題說(shuō)明影響氧化速率的因素。
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最新試題
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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描述RF濺射系統(tǒng)。
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定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低?高選擇比意味著什么?
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定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率?
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題型:?jiǎn)柎痤}
例出光刻的8個(gè)步驟,并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
題型:?jiǎn)柎痤}