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問(wèn)答題
【論述題】說(shuō)明影響氧化速率的因素。
答案：
1）氧化劑分壓因?yàn)槠胶馇闆r下，SiO2中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D
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問(wèn)答題
【論述題】簡(jiǎn)述常規(guī)熱氧化辦法制備SiO2介質(zhì)薄膜的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，并說(shuō)明在什么情況下氧化過(guò)程由反應(yīng)控制或擴(kuò)散控制。
答案：
迪爾-格羅夫氧化模型可以很好地預(yù)測(cè)氧化層厚度，熱氧化過(guò)程主要分為以下三個(gè)過(guò)程：（1）氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式穿過(guò)滯留層...
問(wèn)答題
【論述題】簡(jiǎn)述雜質(zhì)在SiO2的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO2的物理性質(zhì)。
答案：
熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì)，某些最常見(jiàn)的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長(zhǎng)中有水存在，一種可能發(fā)生...
