因為Cu的互連線電阻率低，介質(zhì)層介電常數(shù)小。 多層互連對VLSI的意義：1提高集成度；2降低互連延遲3降低成本
最新試題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
光刻工藝的特點包括（）。
光刻工藝對準誤差包括（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
芯片粘接的工藝過程包括（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
