單項選擇題進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
A.銅
B.鋁
C.鎢
D.金
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1.單項選擇題化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
2.多項選擇題CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
A.臺板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設(shè)備
3.多項選擇題新的平坦化方法有哪幾個?()
A.固結(jié)磨料CMP技術(shù)
B.無磨粒CMP技術(shù)
C.無應(yīng)力拋光技術(shù)
D.電化學(xué)機械平坦化技術(shù)
4.多項選擇題光刻工藝對準誤差包括()。
A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.轉(zhuǎn)動
D.套準誤差
5.多項選擇題光刻工藝的特點包括()。
A.決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝
B.光刻與芯片的價格和性能密切相關(guān)
C.光刻工藝過程復(fù)雜
D.復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)
最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型:判斷題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標?()
題型:單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
題型:單項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:單項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:單項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項選擇題