多項選擇題

光刻工藝對準誤差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.轉(zhuǎn)動
D.套準誤差

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多項選擇題

光刻工藝的特點包括（）。

A.決定特征尺寸的關鍵工藝
B.光刻與芯片的價格和性能密切相關
C.光刻工藝過程復雜
D.復印圖像和化學作用相結(jié)合的綜合性技術

單項選擇題

光刻工藝的設備核心是（）。

A.掩膜版
B.對準和曝光
C.光刻機
D.光刻膠

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