多項(xiàng)選擇題IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
A.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，集成度提高α倍
B.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，而單位芯片面積的功耗不變
C.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，單元電路的功耗下降α2倍
D.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，電路速度可增加α倍
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2.多項(xiàng)選擇題芯片粘接的工藝過程包括（）。
A.銀漿固化
B.點(diǎn)銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接
3.多項(xiàng)選擇題影響封裝芯片特性的溫度有（）。
A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度
4.單項(xiàng)選擇題下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
A.一光檢查
B.三光檢查
C.二光檢查
D.四光檢查
5.單項(xiàng)選擇題封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
最新試題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題