刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設置在（）

電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設定于（）。

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質量要求的是（）

假設光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

影響顯影工藝的因素有（）。

鋁的電遷移可能導致的結果是（）

最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）