刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

調(diào)試和維修電路時排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

下列哪些是進行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點？

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）