單項(xiàng)選擇題環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
A.20℃
B.23℃
C.25℃
D.28℃
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1.單項(xiàng)選擇題光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
A.黃
B.紅
C.紫
D.藍(lán)
2.單項(xiàng)選擇題高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）
A.416nm
B.405nm
C.365nm
D.740nm
3.單項(xiàng)選擇題堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
A.100℃～150℃
B.130℃～200℃
C.110～130℃
D.85～120℃
4.單項(xiàng)選擇題在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
A.顯影液可以使用丁酮
B.顯影液可以使用甲苯
C.顯影液可以使用丙酮
D.顯液可以使用甲基異丁基酮和異丙醇的1：1混合液
5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
A.濕法刻蝕
B.濺射刻蝕
C.等離子體刻蝕
D.反應(yīng)離子刻蝕
最新試題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項(xiàng)選擇題