單項(xiàng)選擇題

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃

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