A.丙酮
B.氫氧化鈉溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.熱的氯化碳?xì)浠衔?/p>
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你可能感興趣的試題
A.紅外線輻射
B.X射線照射
C.加熱
D.紫外光輻射
E.電子束掃描
A.除去光刻膠中剩余的溶劑
B.增強(qiáng)光刻膠對晶片表面的附著力
C.提高光刻膠的抗刻蝕能力
D.有利于以后的去膠工序
E.減少光刻膠的缺陷
A.負(fù)膠受顯影液的影響比較小
B.正膠受顯影液的影響比較小
C.正膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形
D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率
E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形
A.顯影液的溫度
B.顯影液的濃度
C.顯影液的溶解度
D.顯影液的化學(xué)成分
A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蝕除去
C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層
E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成
最新試題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是()
敘述測試晶體管的方法?
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性,通常將環(huán)境溫度設(shè)定于()。
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下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于()
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