A.ARC可以是硅的氮化物 B.可用干法刻蝕除去 C.ARC膜可以通過(guò)PVD或者CVD的方法形成 D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層 E.ARC膜也可以通過(guò)CVD的方法形成
A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分 B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng) C.烘烤的溫度一般在300℃左右 D.烘烤的時(shí)間越長(zhǎng)越好
A.投影式同接觸式相比,掩模版的利用率比較高 B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式 C.接近式的分辨率受到衍射的影響 D.投影式曝光系統(tǒng)中不會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象 E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)