下列可能造成離子源沾污的因素是（）

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

影響顯影工藝的因素有（）。

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）

在顯影過程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。