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通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是()
A.發(fā)射光譜法
B.干涉測量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)
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單項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時,可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時的溫度一般設(shè)置在()
A.70~100℃
B.130~150℃
C.150~170℃
D.170~200℃
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單項選擇題
一般情況下,刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是()
A.曝光
B.涂膠
C.去膠
D.顯影
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