單項選擇題

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）

A.發(fā)射光譜法
B.干涉測量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)

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單項選擇題

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃

單項選擇題

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

A.曝光
B.涂膠
C.去膠
D.顯影