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單項選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是()
A.發(fā)射光譜法
B.干涉測量法
C.質譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)
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單項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時,可以用加熱的磷酸進行刻蝕,此時的溫度一般設置在()
A.70~100℃
B.130~150℃
C.150~170℃
D.170~200℃
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單項選擇題
一般情況下,刻蝕完成后需要進行的操作是()
A.曝光
B.涂膠
C.去膠
D.顯影
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