多項(xiàng)選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
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1.多項(xiàng)選擇題鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
2.多項(xiàng)選擇題消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進(jìn)行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
3.單項(xiàng)選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
4.單項(xiàng)選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
5.單項(xiàng)選擇題下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題