濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現廢品？（）

光刻工藝的特點包括（）。