通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

鋁的電遷移可能導致的結(jié)果是（）

堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。

敘述測試晶體管的方法？

電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）