常壓的硅外延方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）