目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

CMP的設備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）