摻雜后退火時間一般在（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。