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填空題氧化時（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

參考答案： 硅中的雜質(zhì)濃度與SiO₂中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于

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1.填空題 Si襯底上熱氧化的機理由（）模型確定。氧化反應(yīng)的快慢與三個因素有關(guān)，即：（）。氧化層厚度的理論計算公式為：式中A、B為與擴散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時間修正系數(shù)。

2.填空題由于O₂在SiO₂中的擴散率遠（）于Si 在SiO₂中的擴散率，所以氧化反應(yīng)是由O₂穿過SiO₂層，在（）界面與Si原子反應(yīng)。相同溫度下，濕氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因為在SiO₂中，H₂O比O₂有更（）的擴散率和溶解度。由于N₂和Si在Si₃N₄中的擴散率都很（），所以很難在Si襯底上熱生長Si₃N₄。通常在Si襯底上用（）法沉積Si₃N₄薄膜。

參考答案：高；Si-SiO₂；高；高；低；PECVD

3.填空題擴散系統(tǒng)主要有以下四部分組成：（）

參考答案：爐體與爐管、氣體系統(tǒng)、溫度和氣源控制系統(tǒng)、裝片系統(tǒng)

4.填空題擴散分布的主要測量方法有：（）。

參考答案：四探針測電阻率、擴展電阻測載流子分布、霍爾效應(yīng)測電阻率、染色法測結(jié)深、二次離子質(zhì)譜測雜質(zhì)分布、盧瑟福背散射測重雜質(zhì)分布

5.填空題擴散的目的是為了實現(xiàn)對半導(dǎo)體摻雜，雜質(zhì)擴散的深度與（）有關(guān)，服從（）。雜質(zhì)擴散通常分為等表面濃度擴散，也（），和固定雜質(zhì)總量擴散，也稱（）。預(yù)淀積的分布是（）函數(shù)，再分布擴散的雜質(zhì)呈（）函數(shù)分布。

參考答案：雜質(zhì)濃度梯度、擴散溫度、擴散時間；費克定律；預(yù)淀積；再分布擴散；余誤差；高斯