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填空題

由于O₂在SiO₂中的擴(kuò)散率遠(yuǎn)（）于Si 在SiO₂中的擴(kuò)散率，所以氧化反應(yīng)是由O₂穿過SiO₂層，在（）界面與Si原子反應(yīng)。相同溫度下，濕氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因?yàn)樵赟iO₂中，H₂O比O₂有更（）的擴(kuò)散率和溶解度。由于N₂和Si在Si₃N₄中的擴(kuò)散率都很（），所以很難在Si襯底上熱生長Si₃N₄。通常在Si襯底上用（）法沉積Si₃N₄薄膜。

答案：高；Si-SiO₂；高；高；低；PECVD

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擴(kuò)散系統(tǒng)主要有以下四部分組成：（）

答案：爐體與爐管、氣體系統(tǒng)、溫度和氣源控制系統(tǒng)、裝片系統(tǒng)

擴(kuò)散分布的主要測量方法有：（）。

答案：四探針測電阻率、擴(kuò)展電阻測載流子分布、霍爾效應(yīng)測電阻率、染色法測結(jié)深、二次離子質(zhì)譜測雜質(zhì)分布、盧瑟福背散射測重雜質(zhì)分布