光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。