單項選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
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1.單項選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
2.單項選擇題下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
3.單項選擇題如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌
4.單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
5.單項選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
最新試題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題