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單項選擇題

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度

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單項選擇題

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm

單項選擇題

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度

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